RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link