RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
65
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
38
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link