RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2361
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link