RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
78
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
78
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1584
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link