RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
78
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
78
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1584
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link