RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
78
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
78
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1584
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link