RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
65
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2163
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link