RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
65
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link