RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
71
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
9.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
1484
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link