RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3007
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905315-117.A00LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link