RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 17.4
    Среднее значение в тестах
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    61 left arrow 65
    Около -7% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 61
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 8.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 2134

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
модули RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
модули RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
модули RAM