RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link