RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston ACR16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link