RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link