RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2811
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link