RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
85
Около 72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
85
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link