RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2852
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link