RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 31
    Около 23% меньшая задержка
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.2 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 18.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 14.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3439

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Сравнения RAM

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
модули RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
модули RAM