RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link