RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2874
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link