RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1428
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link