RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2553
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link