RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link