RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
23.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
23.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4124
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link