RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 36
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3169

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
модули RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
модули RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
модули RAM
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
модули RAM