RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link