RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3371
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link