RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link