RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link