RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link