RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link