RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link