RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3085
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link