RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link