RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link