RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link