RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link