RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link