RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3423
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link