RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2941
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link