RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link