RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2063
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link