RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link