RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link