RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3225
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link