RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation M424016 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424016 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link