RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4106
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link