RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link