RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
76
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link