RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link