RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link