RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4164
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link