RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3273
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link