RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link